一、閾值電壓的定義
閾值電壓:若在一定的偏置電壓下,溝道(反型層)內(nèi)的載流子濃度與襯底載流子濃度相等,則認(rèn)為此時(shí)的偏置電壓為閾值電壓。通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
比如常見(jiàn)的mos管,當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí),要經(jīng)歷一個(gè)si表面電阻濃度等于空穴濃度的狀態(tài),此時(shí)器件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數(shù)之一;如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流打到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
二、閾值電壓影響因素
一個(gè)特定的晶體管的閾值電壓有很多影響因素,比如背柵的摻雜,電介質(zhì)的厚度,柵極材質(zhì)和電介質(zhì)中的過(guò)剩電荷。
1、背柵的摻雜
backgate的摻雜是決定閾值電壓的主要因素。如果背柵摻雜越多,它的反轉(zhuǎn)就越難。如果想要反轉(zhuǎn)就要更強(qiáng)的電場(chǎng),閾值電壓就上升了。MOS管的背柵摻雜能通過(guò)在介電層表面下的稍微的implant來(lái)調(diào)節(jié)。這種implant被叫做閾值調(diào)整implant(或Vt調(diào)整implant)。如果implant是由受主組成的,那么硅表面反轉(zhuǎn)就更難,閾值電壓因此會(huì)升高。如果implant是由受主組成的,那么硅表面反轉(zhuǎn)會(huì)更容易,閾值電壓降低。如果注入的donors夠多,硅表面實(shí)際上就反向摻雜了。所以,在零偏置下就有了一薄層N型硅來(lái)形成永久的溝道。隨著柵極偏置電壓的升高,溝道變得越來(lái)越強(qiáng)的反轉(zhuǎn)。隨著柵極偏置電壓的下降,溝道變的越來(lái)越弱,最后消失了。這種NMOS管的閾值電壓實(shí)際上是負(fù)的。這樣的晶體管稱為耗盡型NMOS。
2、電介質(zhì)
電介質(zhì)在決定閾值電壓方面起了重要性作用。厚電介質(zhì)由于比較厚而削弱了電場(chǎng)。所以厚電介質(zhì)使閾值電壓升高,而薄電介質(zhì)使閾值電壓降低。理論上來(lái)講,電介質(zhì)成分也會(huì)改變電場(chǎng)強(qiáng)度。但實(shí)際情況來(lái)講,幾乎所有的MOS管都用純sio2作為gate dielectric。這種物質(zhì)可以以極純的純度和均勻性生長(zhǎng)成特別薄的薄膜;其他物質(zhì)跟它都不能比。
3、柵極的物質(zhì)成分
柵極的物質(zhì)成分對(duì)閾值電壓也會(huì)有所影響的。當(dāng)GATE和BACKGATE短接時(shí),電場(chǎng)就施加在gate oxide上。這主要是因?yàn)镚ATE和BACKGATE物質(zhì)之間的work function差值引起的。幾乎所有數(shù)實(shí)際應(yīng)用的晶體管都用重?fù)诫s的多晶si作為柵極。改變多晶硅的摻雜程度就能控制它的work function。
4、介電層與柵極界面上過(guò)剩的電荷
GATE OXIDE或氧化物和硅表面之間界面上過(guò)剩的電荷也會(huì)影響閾值電壓。這些電荷中有離子化的雜質(zhì)原子,捕獲的載流子,或結(jié)構(gòu)缺陷。電介質(zhì)或者是它表面捕獲的電荷會(huì)影響電場(chǎng)并進(jìn)一步影響閾值電壓。如果被捕獲的電子隨著時(shí)間,溫度或偏置電壓而變化,那么閾值電壓也會(huì)隨之變化。
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【本文標(biāo)簽】 閾值電壓
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