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九齊芯片
NY8BE62D 是以MTP作為程式記憶體，并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的 8 位微控制器，特別適合斷電后還需保持資料內(nèi)容的應(yīng)用，例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。除此之外內(nèi)建類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器也適用于家電或量測(cè)等等的應(yīng)用設(shè)計(jì)，除此之外更針對(duì)霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。而MTP作為程式記憶體能讓使用者更方便且有效率的開發(fā)產(chǎn)品。NY8BE62D 核心建立在精簡指令集架構(gòu)，可以很容易地做編輯和控制，共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是 1個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8BE62D內(nèi)建除錯(cuò)仿真電路，利用兩個(gè)腳位與很少的外接硬體，就能實(shí)現(xiàn)在線仿真器的大多數(shù)功能, 例如設(shè)定程式執(zhí)行條件與中斷條件，片上單步執(zhí)行，以及查看及設(shè)定各種寄存器的內(nèi)容。仿真的執(zhí)行效果將比一般的仿真器更接近實(shí)際IC運(yùn)作。
NY8BE62D內(nèi)建 12 位高精度 11+2 通道類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器與高精度電壓比較器，足以應(yīng)付各種類比界面的偵測(cè)與量測(cè)。NY8BE62D內(nèi)建的高頻振蕩器，能彈性選擇輸出頻率區(qū)段，以適用于多樣的霧化器元件，更可以程式細(xì)調(diào)輸出頻率，細(xì)度足以應(yīng)付霧化器的元件偏差。
在I/O的資源方面，NY8BE62D 有 14 根彈性的雙向I/O腳，每個(gè)I/O腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè)I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面，NY8BE62D內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。
NY8BE62D 有四組計(jì)時(shí)器，可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)的應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來計(jì)數(shù)。另外NY8BE62D 提供5 組 10 位解析度的PWM輸出，1 組蜂鳴器輸出可用來驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。NY8BE62D的計(jì)時(shí)器同時(shí)具有增強(qiáng)型捕捉/比較/可編程死區(qū)時(shí)間的PWM模塊(ECCP).
NY8BE62D 采用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振蕩或者低速振蕩都可以分別選擇內(nèi)部RC振蕩或外部晶振輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下，NY8BE62D 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。并且微控制器在使用內(nèi)部RC高速振蕩時(shí)，低速振蕩可以同時(shí)使用外部精準(zhǔn)的晶振計(jì)時(shí)，可以維持高速處理同時(shí)又能精準(zhǔn)計(jì)算真實(shí)時(shí)間。
在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8BE62D 進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。
NY8BE62D能通過初始設(shè)定實(shí)現(xiàn)與NY8B060E相容的功能，可使用Y8BE62D內(nèi)建除錯(cuò)仿真電路來模擬實(shí)際IC動(dòng)作。
系統(tǒng)主頻提供 20.8M/19.2M/16M/14.4M/13.6M 五種選擇。
Timer 1/4/5 可選擇系統(tǒng)主頻直接輸入。
高頻率振蕩器(FHOSC)可微調(diào)，微調(diào)精度至 ±0.1%。
內(nèi)建二線控制的除錯(cuò)仿真電路(On Chip Debug)。
雜訊過濾功能(Noise Filter)打開時(shí)可容忍超過±4KV的EFT。(操作電壓@5V)
寬廣的工作電壓：
2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 ≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 > 8MHz。
寬廣的工作溫度：-20°C ~ 85°C。
2Kx14 bits MTP。
256 bytes EEPROM。 (一萬次擦寫)
128 bytes SRAM。
14 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[7:0]、PB[5:0] 。
PA[5:0]及PB[3:0]可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)建下拉電阻。
PA[7:0]及PB[5:0]可選擇輸入時(shí)使用上拉電阻，上拉電阻為 100KΩ。
PB[5:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain)。
所有I/O腳輸出灌電流(Sink Current)有三檔可選: 小(Small)、一般(Normal)或大(Large)。
所有I/O腳輸出推電流(Drive Current)可選擇小(Small)或一般(Normal)。
8 層程式堆棧(Stack)。
存取資料有直接或間接定址模式。
一組 8 位上數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路。
三組 10 位下數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer1, 4, 5)可選重復(fù)載入或連續(xù)下數(shù)計(jì)時(shí)。
五個(gè) 10 位脈沖寬度調(diào)變(PWM1, 2, 3, 4, 5)。
Timer4, 5 可組成 16 位捕捉/比較功能, Timer5/PWM5 可轉(zhuǎn)變成具死區(qū)控制的PWM輸出。
一個(gè)蜂鳴器輸出(BZ1)。
38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時(shí)載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。
內(nèi)建準(zhǔn)確的低電壓偵測(cè)電路(LVD)。
內(nèi)建 11+2 通道 12 位類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter)。
內(nèi)建準(zhǔn)確的電壓比較器(Voltage Comparator)。
內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。
內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。
內(nèi)建看門狗計(jì)時(shí)(WDT)，可由程式韌體控制開關(guān)。
內(nèi)建電阻頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能.
雙時(shí)鐘機(jī)制，系統(tǒng)可以隨時(shí)切換高速振蕩或者低速振蕩。
高速振蕩：E_HXT (超過 6MHz外部高速石英振蕩)
E_XT (455K~6MHz外部石英振蕩)
I_HRC (1~20.8MHz內(nèi)部高速RC振蕩)
低速振蕩：E_LXT (32KHz外部低速石英振蕩)
I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振蕩)
四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby
mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。
十二種硬體中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
Timer4 借位中斷。
Timer5 借位中斷 或 CCP中斷。
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
低電壓偵測(cè)/比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。
類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷°
EEPROM寫入完成中斷°
NY8BE62D在待機(jī)模式(Standby mode)下的十一種喚醒中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
Timer4 借位中斷。
Timer5 借位中斷 或 CCP中斷。
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
低電壓偵測(cè)/比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。
類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷。
NY8BE62D在睡眠模式(Halt mode)下的五種喚醒中斷：
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
NY8BE62D提供三種封裝類型：SOP16、SOP14 和SOP8
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